Indexed by：
Abstract：
采用KrF准分子激光辐照4H-SiC制备石墨烯层,从4H-SiC晶面取向对石墨烯生长质量影响的角度开展研究工作,分析激光能量密度、脉冲数及晶面取向对石墨烯质量的影响.当激光能量密度为1.06 J/cm2,脉冲数为8000时,4H-SiC样品极性Si(0001)面和非极性a(1120)面上生长的石墨烯质量均达到最好.石墨烯与4H-SiC衬底极性Si(0001)面之间存在缓冲层,为石墨烯的生长提供了模板,得到的石墨烯更为有序,缺陷态更少;而非极性a(1120)面上生成的石墨烯与衬底之间未生成缓冲层,生长的石墨烯层较为无序,对激光参数的变化更为敏感.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
中国激光
ISSN： 0258-7025
Year： 2020
Issue： 8
Volume： 47
Page： 44-52
Cited Count：
SCOPUS Cited Count： 1
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： -1
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 0
