高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
The degradation and recovery properties of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors under direct current reverse step voltage stress
作者：
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2013，CHINESE PHYSICS B
2007，5th International Conference on Processing and Manufacturing of Advanced Materials
2021，Huanjing kexue
2018，ACS SUSTAINABLE CHEMISTRY & ENGINEERING
来源 ：
中国物理B
年份： 2013
期： 2
页码： 415-418
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次： -1
中文被引频次：
近30日浏览量： 4
归属院系：
信息学部
全文获取
外部链接：
