摘要：
由于Ta2O5与半导体工艺相容而成为替代SiO2(εr为3.9)的首选材料,但它的εr也只有36,因此,对Ta2O5进行掺杂改性成为提高其介电性能的有效途径.本课题组在传统固相烧结的基础上,对(Ta2O5)1-x(TiO2)x(x≤0.13)体系陶瓷材料制备和介电性能进行了研究,并将(Ta2O5)0.92(TiO2)0.08的介电系数提高到185.0；对(Nb2O5)1-x(Ta2O5)x和(Nb2O5)1-x(TiO2)x体系陶瓷的制备和介电性能进行了研究,找到两种陶瓷最佳掺杂组分.对(Nb2O5)1-x(TiO2)x而言,最佳掺杂点为5mole％,此时常规测量条件下的介电系数和损耗分别为218和0.078.对(Nb2O5)1-x(Ta2O5)x而言,最佳掺杂点为14mole％,此时常规测量条件下的介电系数和损耗分别为119和0.010.
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