高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[会议论文]
GaN纳米线中缺陷分析:第一性原理研究
作者：
摘要：
实验表明,不同缺陷类型对低维GaN材料如薄膜、纳米线等的能带、光学性能有非常明显的影响.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法系统讨论了GaN纳米线中可能存在的缺陷类型及缺陷存在的位置.本文主要考虑了在富氮或贫氮氛围生长纳米线时,纳米线中可能出现的Ga空位(VGa)、Ga间隙原子(IGa),N空位(VN)及N间隙原子(IN)等缺陷,并讨论了缺陷可能出现的不同位置,如纳米线内部、纳米线表面、临近表面等,如图1.
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2020，物理学报
2016，中国物理学会2016年秋季会议
2014，中国真空学会2014年年会
2014，中国真空学会2014学术年会
来源 ：
年份： 2016
页码： 1-1
语种： 中文
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次： -1
中文被引频次：
近30日浏览量： 1
归属院系：
材料与制造学部 本学院/部未明确归属的数据
材料与制造学部 材料科学与工程学院
全文获取
外部链接：
