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[会议论文]
N型<111>方向硅纳米线压阻效应的研究
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所有材料都有压阻特性，然而不同于金属材料，半导体的压阻效应不仅源于尺寸的变化，而且更敏感于其半导体特性(能带的变化).自1954年硅压阻效应1被发现以来，这一领域的研究如火如荼，并基于此效应，硅的各种压敏传感器被广泛应用.随着材料尺寸的减小，它们的可承载的弹性应变大幅提高，比如硅体材料的应变极限一般小于0.1％，而微米或亚微米尺度的硅应变一般高于1％.
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年份： 2016
页码： 1-2
语种： 中文
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