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[会议论文]
新型相变存储材料TiSbTe薄膜的原位热处理及其微结构演化
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大数据时代，信息技术的发展对数据存储器件的存储能力提出了更高的要求，近些年来发展了多种新型存储原理与技术，而相变存储器(PCM)则被认为是最具潜力的下一代主流存储器。在外加脉冲作用下，相变存储材料会在非晶态与晶态之间快速而可逆的转变，利用两种状态伴随的折射率或电阻率的差异来进行信息数据的＂0＂、＂1＂存储，因此开发新型相变存储材料以及对其材料结构和相变机理的研究至关重要。
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年份： 2016
页码： 1-2
语种： 中文
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材料与制造学部 固体微结构与性能研究所
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