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[会议论文]
应变调控的嵌入GaAs量子点/GaAs纳米线结构的荧光发射特性
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GaAs是Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体材料,嵌入GaAs量子点的GaAs纳米线结构(GaAs QDs-GaAs NWs)具有优良的光电性能1,可以被应用于光纤通信设备中的近红外量子点光电器件、中红外量子点探测器,及量子点太阳能电池等。通过施加电场、磁场和温度场,应力等外场,改变半导体的光学性质,可展现出多种丰富的物理效应,从而产生更为广泛的应用。
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来源 ：
年份： 2016
页码： 1-1
语种： 中文
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