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[会议论文]
基于GaN薄膜非极性面外延生长的微观机制研究
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基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，我们系统研究了GaN非极性(1100)m面及其邻面的外延生长的微观机制。研究表明：1)仅以热动力学稳定性机制难以解释GaN m面及其邻面的生长过程与成核机理；2)非平衡生长环境是GaN的m面积其邻面产生各向异性生长的重要条件；3)GaN薄膜生长过程中的Ga/N比率变化对于扭结形核生长过程将产生显著影响。我们所发展的研究方法将能用于研究与分析其它二元合金薄膜基于台阶流生长模式的微观机理。
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年份： 2016
页码： 34-34
语种： 中文
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