针对芯片原子钟(铯)用激光光源系统对垂直腔面发射激光器(VCSEL)模式及工作温度的需求,研制出可以高温工作的氧化限制型基横模894.6　nm　VCSEL.通过缩小VCSEL氧化孔直径至3　μm,限制VCSEL高阶横模激射,保证器件基横模低阈值电流工作.通过常温下腔模与材料增益失谐12　nm的结构设计,使器件能够在50-65℃高温时,激射波长对准原子能级且工作模式稳定.实验所制备的VCSEL在工作温度为55℃、注入电流1.8　mA时,激射波长达到894.6　nm,边模抑制比(SMSR)大于35　dB,基横模功率为0.75　mW,具有11.4.的远场发射角.当温度为65℃时,器件SMSR大于25　dB,基横模功率大于0.1　mW.该高温基横模工作的VCSEL在芯片原子钟中具有重要的应用前景.