Abstract：
基于能带理论和分布布拉格反射镜(DBR)的工作原理,分析了垂直腔面发射激光器(VCSEL)中DBR串联电阻较大的原因.采用组分渐变降低DBR结构中异质结界面处势垒,优化DBR的各层掺杂浓度,通过调控费米能级进一步降低DBR中的异质结势垒,从而有效降低DBR串联电阻.实验采用Al0.22Ga0.78As/Al0.9Ga0.1As作为生长DBR的两种材料,设计了 DBR各层厚度,研究了 AlGaAs材料的最佳生长温度,利用MOCVD外延技术完成了 795 nm VCSEL突变DBR与渐变DBR的生长.经过工艺制备,测得突变DBR和渐变DBR的电阻分别为6.6和5.3Ω,优化生长后的DBR电阻得到有效降低.
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半导体光电
ISSN： 1001-5868
Year： 2022
Issue： 2
Volume： 43
Page： 332-336
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