Ta　(5)/CoFeB　(1)/MgO　(2)/Ta　(2)　(in　nm)　multilayers　were　deposited　on　silicon　substrates　by　magnetron　sputtering,　and　the　MgO　layer　was　prepared　by　two　methods　at　the　same　argon　gas　flow　rate:　the　radio　frequency　(RF)　sputtering　method　of　MgO　target　and　the　reactive　sputtering　method　of　direct　current　(DC)　sputtering　Mg　target　with　introducing　oxygen　at　the　same　time.　The　sample　prepared　by　the　former　method　was　denoted　as　Sample　A,　and　the　latter　was　denoted　as　Sample　B.　The　results　indicate　that　as-deposited　Sample　A　shows　in　plane　magnetic　anisotropy　(IMA)　with　K-eff　=-0.79　x　10(6)erg/cm(3).　However,　the　as-deposited　Sample　B　shows　perpendicular　magnetic　anisotropy　(PMA)　with　K-eff　=　1.69　x　10(6)erg/cm(3),　and　the　K-eff　value　increases　to　3.17　x　10(6)erg/cm(3　)after　annealing　at　250　&　DEG;C.　X-ray　photoelectron　spectroscopy　(XPS)　results　illustrate　that　the　films　show　PMA　when　the　composition　ratio　(epsilon)　of　Fe　oxide　to　Fe　in　CoFeB/oxide　interface　of　Sample　A　and　B　annealed　below　300　&　DEG;C,　is　approximately　in　the　range　of　0.65-0.75.　When　epsilon　is　beyond　the　above　range,　the　film　shows　IMA.　Moderate　oxidation　state　at　the　interface　results　in　the　formation　of　PMA　and　it　was　improved　by　forming　effective　orbital　hybridization　of　Fe　3d　and　O　2p.　High　resolution　transmission　electron　microscopy　(HRTEM)　analysis　reveals　that　no　crystallization　appears　in　CoFeB　and　MgO　layer　of　the　film　before　and　after　annealing,　and　crystallization　has　no　effect　on　the　interface　chemical　states　in　this　system.