Abstract：
研究了微波功率和反应腔室压强对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法生长AlN薄膜质量的影响.采用高温MPCVD法,以N2为氮源,三甲基铝(TMAl)为铝源,在6H-SiC衬底上进行AlN薄膜的外延生长.在不同微波功率和不同反应腔室压强下,外延生长了 AlN薄膜样品.生长样品的测试结果表明,在微波功率为4 500 W时,样品(002)面X射线摇摆曲线(XRC)半高全宽(FWHM)为 217 arcsec.在反应腔室压强为 130 Torr(1 Torr=133.3 Pa)时,样品(002)面XRC的FWHM为216 arcsec.该研究将为以后AlN材料的MPCVD生长提供一些参考.
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微纳电子技术
ISSN： 1671-4776
Year： 2023
Issue： 4
Volume： 60
Page： 626-632
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