摘要：
氧化铝作为一种可以应用于高密度MIM电容器的高k材料,具有很大的禁带宽度和良好的热稳定性,可以有效减小漏电流.采用磁控溅射法制备了氧化铝薄膜,并对不同气氛和温度下退火的氧化铝薄膜进行了漏电和电容测试,分析和研究了影响磁控溅射氧化铝薄膜质量的因素.结果表明,退火后氧化铝薄膜的漏电减小,而且试样在氧气条件下退火的电学性能优于氮气条件.经过250℃氮气退火的试样漏电减小,5V下漏电为9 nA左右,电容波动在10-1 pF量级.而经过250℃氧气退火后的试样,5 V下漏电仅为0.3 nA,且电容波动较小(～0.03 pF).
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