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一种基于MOS器件内栅电荷补偿的抗总剂量效应的方法属于抗辐照半导体技术领域。本发明至少包括两种新型MOS器件结构和一种新型电路结构，能够大幅度增强LDMOS器件的抗辐照性能。本发明针对星载LDMOS在总剂量效应作用下产生的阈值漂移甚至是器件失效，提出在LDMOS栅极添加辅助栅极以共同构成复合栅极，再通过旁置的浮栅MOS来引入外部负压源。当总剂量效应使得LDMOS栅氧化层中积累一定量的正电荷后，通过浮栅MOS检测LDMOS阈值漂移程度，且其自身与外部负压源共同向LDMOS辅助栅极引入负电荷来抑制LDMOS的阈值漂移，并在LDMOS阈值回归正常范围后停止该过程，总体上达到将LDMOS阈值控制在合理范围内的效果。本发明可提高集成电路的抗辐照能力。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN202111250922.4
Filing Date： 2021-10-26
Publication Date： 2023-09-12
Pub. No.： CN114093947B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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