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摘要：
本发明提供了一种CIS芯片的扇出型封装制作方法，该方法利用玻璃基体的透光特性，将CIS芯片倒置嵌入到带槽的玻璃基体中，对CIS芯片的正面和侧面进行包封，然后通过TSV工艺将导电结构引到包封侧壁玻璃基体上，实现扇出封装。本发明先将CIS芯片倒置嵌入玻璃基板上再进行面板级封装，增加了封装的可操作性，封装工艺过程简单，可靠性高。面板级封装的过程结合了晶圆级封装金属布线线宽，线间距小、精度高的优势和面板级封装倍增的封装数量，明显提高了封装质量和效率，大大降低了封装成本。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明授权
申请(专利)号： CN202010472471.8
申请日期： 2020-05-29
公开(公告)日： 2023-09-01
公开(公告)号： CN111627947B
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 授权
