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一种无缺陷羟基氧化钴纳米片的一步飞秒激光制备方法
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一种无缺陷羟基氧化钴纳米片的一步飞秒激光制备方法，属于激光加工领域。本发明使用飞秒激光液相辐照加工技术，在氢氧化钾液相体系中对高纯钴靶材进行液相辐照，制备获得单晶羟基氧化钴纳米片，该纳米片可用于析氢催化反应与生物检测等。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明申请
申请(专利)号： CN202310263090.2
申请日期： 2023-03-17
公开(公告)日： 2023-07-18
公开(公告)号： CN116446031A
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 实质审查
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