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一种低暗电流高响应度的二维材料探测器及其制备方法
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本发明公开了一种低暗电流高响应度的二维材料探测器及其制备方法，属于新型材料光探测器领域，二维材料探测器结构基于范德瓦尔斯异质结，包含三层二维材料，一同构建两个正垂直PN结构，并且使下方PN结为Ⅲ型能带对准结构，同时使上方PN结为Ⅱ型能带对准结构。该结构可以有效的降低探测器暗电流，提高器件响应度。本发明为基于范德瓦尔斯异质结二维材料探测器，为降低器件暗电流，提高响应度和探测率提供了一种新的解决方案，具有深刻而广泛的研究意义和应用前景。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明申请
申请(专利)号： CN202310280706.7
申请日期： 2023-03-22
公开(公告)日： 2023-06-23
公开(公告)号： CN116314429A
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 实质审查
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