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Lingfei Ji (Lingfei Ji.) | Weigao Sun (Weigao Sun.)

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本发明提供了一种柔性氮化镓(GaN)光电探测器的激光快速制作方法包括以下步骤:(1)将柔性衬底键合到GaN外延片上; (2)调整光束焦面位置,保证光束从GaN外延片衬底侧面入射; (3)使光束从步骤(1)中得到的样品结构的边缘进行扫描照射; (4)调整工艺参数,沿所述步骤(3)中的路径反向扫描辐照; (5)去除外延片原有的刚性透明衬底,得到Ga金属纳米颗粒/GaN薄膜/柔性衬底结构; 以及(6)在所述步骤(5)得到的Ga金属纳米颗粒表面制备叉指电极。 通过激光技术一步制备出具有Ga金属纳米颗粒原位分布探测面的柔性GaN光电探测器,简化了工艺,同时诱导探测器表面形成表面等离子体共振效应,光吸收和光响应性能大大增强,适合工业化生产。

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专利基本信息 :

专利类型: 发明申请

申请(专利)号: US17864324

申请日期: 2022-07-13

公开(公告)日: 2023-02-02

公开(公告)号: US20230032584A1

申请(专利权): Beijing University Of Technology

法律状态: 实质审查

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