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本发明公开一种高压功率快恢复二极管结构，包括横向设置的：有源区、终端区和横向电阻区，所述横向电阻区设于所述有源区和所述终端区之间，所述有源区、横向电阻区和终端区在阴极侧均设有N+掺杂缓冲层；其中，所述有源区内的N+掺杂缓冲层内设有第一背面浮置P+层；所述终端区内的N+掺杂缓冲层内设有第二背面浮置P+层；所述横向电阻区内的N+掺杂缓冲层内设有第一N+掺杂层。本发明的高压功率快恢复二极管结构通过在有源区和终端区的阴极侧设置背面浮置P+层，并在有源区和终端区间设置横向电阻区，减少正向导通时主结边缘载流子的积累量，有效抑制了阴极侧的强电场，显著提高了芯片的过流关断能力，有效避免了高压二极管被烧毁的情况。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN202011307827.9
Filing Date： 2020-11-19
Publication Date： 2022-09-06
Pub. No.： CN112420814B
Applicants： 北京工业大学;;深圳吉华微特电子有限公司
Legal Status： 授权
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