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本发明公开了一种宽温域内具有正值和负值大拓扑霍尔效应的磁性材料，化学式为LaxNd1‑xMn2Ge2(0＜x＜1)。该系列磁性材料在包括室温在内的宽温域中具有大拓扑霍尔效应，且其值随温度的降低由正值变为负值，这使其有可能成为一种具有小尺寸和高密度斯格明子的磁性材料，同时其斯格明子磁畴结构的自旋方向可能随温度的变化而发生翻转，这预示着随温度的变化可形成不同的磁存储单元；此外，随着La/Nd比值的减小，其居里温度、自旋重取向温度等磁转变温度会随之升高，导致不同磁存储单元的工作温区随之变化，可以据此进行工作温区的调控。因此，该系列磁性材料是理想的磁存储和信息转换等自旋电子学器件的候选材料。
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