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Qin Fei (Qin Fei.) | Zhao Shuai (Zhao Shuai.) | Dai Yanwei (Dai Yanwei.) | Chen Pei (Chen Pei.) | An Tong (An Tong.)

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一种碳化硅MOSFET模块的封装结构和制作方法。碳化硅MOSFET模块由碳化硅MOSFET芯片(1),上DBC基板(2),下DBC基板(3),陶瓷转接板(4),氧化硅介电填充层(5),纳米银焊膏(6),再布线层(7),过孔导电金属(8)和功率端子组成。通过纳米银焊膏(6)将碳化硅MOSFET芯片(1)和下DBC基板(3)连接。在陶瓷转接板(4)上制作矩形框架,并通过填充介电材料,将碳化硅MOSFET芯片(1)嵌入在陶瓷转接板(4)内。碳化硅MOSFET芯片(1)和陶瓷转接板(4)的上表面覆有导电金属层,陶瓷转接板(4)的上、下表面分别和上DBC基板(2)、下DBC基板(3)互连,各功率端子分别从上DBC基板(2)的导电覆铜层(201)、下DBC基板(3)的导电覆铜层(301)引出。

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专利类型: 发明申请

申请(专利)号: WOCN19124448

申请日期: 2019-12-11

公开(公告)日: 2021-05-14

公开(公告)号: WO2021088197A1

申请(专利权): Beijing University Of Technology

法律状态: 未进入国家阶段-PCT有效期满

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