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摘要：
本发明公开了一种碳化硅MOSFET模块的封装结构和制作方法，由碳化硅MOSFET芯片，上DBC基板，下DBC基板，陶瓷转接板，氧化硅介电填充层，纳米银焊膏，再布线层，过孔导电金属和功率端子组成。本发明通过纳米银焊膏将碳化硅MOSFET芯片和下DBC基板连接。同时在陶瓷转接板上制作矩形框架，并通过填充介电材料，将碳化硅MOSFET芯片嵌入在陶瓷转接板内。芯片和转接板的上表面覆有导电金属层，陶瓷转接板的上下表面分别和上下DBC基板互连，各功率端子分别从上下DBC基板的导电覆铜层引出。该发明可以实现碳化硅MOSFET模块的高温封装，而且可以实现双面散热，提高了散热效率。采用平面互连的方式取代引线键合，减小了模块的寄生电感。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明授权
申请(专利)号： CN201911090620.8
申请日期： 2019-11-09
公开(公告)日： 2021-04-16
公开(公告)号： CN110838480B
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 授权
