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本发明涉及一种提高电光调制器带宽的电极结构，属于铌酸锂电光调制技术领域。为了解决电光调制器的相速失配问题，本发明在调制器芯片行波电极底部设计了一个镂空结构，可以不填充材料，也可以填充二氧化硅等低介电常数材料，经过计算能够有效降低微波等效折射率，大幅增大电光调制器的器件带宽，为提高铌酸锂电光调制器带宽提供了新的方法。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN201910570770.2
Filing Date： 2019-06-28
Publication Date： 2019-10-01
Pub. No.： CN110297338A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 撤回
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