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一种太赫兹无损检测硅片电阻率的装置及其使用方法,涉及太赫兹技术领域。包括太赫兹辐射源、准直扩束系统、样品台、太赫兹探测器、计算机、机械吸盘、返工片收集盒;太赫兹辐射源设置在最下方,太赫兹辐射源垂直向上辐射太赫兹波,准直扩束系统设置在太赫兹辐射源的正上方,所述太赫兹探测器设置在准直扩束系统正上方,太赫兹探测器与准直扩束系统之间有一段间距,太赫兹探测器的探头朝下,用于接收太赫兹辐射,样品台设置在太赫兹探测器与准直扩束系统之间,能够沿水平面移动,计算机与太赫兹探测器数据线相连,机械吸盘与计算机数据线连接,返工片收集盒独立。可在不接触硅片的情况下,无损地测量硅片的电阻率,不会对硅片造成损伤。

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专利基本信息 :

专利类型: 发明申请

申请(专利)号: CN201711478375.9

申请日期: 2017-12-29

公开(公告)日: 2018-06-29

公开(公告)号: CN108226099A

申请(专利权): 北京工业大学;;中国工程物理研究院激光聚变研究中心

法律状态: 实质审查

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