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一种改善非金属衬底上直接生长的石墨烯质量的方法
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一种改善非金属衬底上直接生长的石墨烯质量的方法，属于半导体材料生长领域。首先利用化学气相沉积法在非金属衬底上生长一层石墨烯薄膜，再在石墨烯薄膜上溅射一层薄金属层，将生长有薄金属层的衬底再次进行石墨烯薄膜的CVD生长，生长完成后去除表面石墨烯薄膜与金属层。本发明改善了非金属衬底上直接生长的石墨烯的质量，经过再次催化生长后，石墨烯薄膜的质量和性能均得到了显著提升。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明授权
申请(专利)号： CN201610144523.2
申请日期： 2016-03-14
公开(公告)日： 2018-03-09
公开(公告)号： CN105836733B
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 未缴年费
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