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一种基于高电子迁移率晶体管的光谱探测器及其制备方法
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本发明涉及一种基于高电子迁移率晶体管的光谱探测器及其制备方法，本发明在高电子迁移率晶体管的栅极金属薄膜上设置了一层光电阴极薄膜。光谱检测时，光辐射射到光电阴极薄膜上，使光电阴极薄膜发生外光电效应，其表面电荷分布发生变化，使栅极电压发生改变，导致高电子迁移率晶体管内部的二维电子气产生或浓度发生变化，从而使高电子迁移率晶体管的沟道电流发生变化，使光波信号转变为电信号，实现对光辐射的高灵敏度探测。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明授权
申请(专利)号： CN201510276391.4
申请日期： 2015-05-26
公开(公告)日： 2017-10-27
公开(公告)号： CN104900745B
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 授权
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