高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[专利]
一种单壁碳纳米管垂直阵列‑碳纳米洋葱复合材料制备方法及其在超级电容器中的应用
作者：
收录：
摘要：
一种单壁碳纳米管垂直阵列‑碳纳米洋葱复合材料制备方法及其在超级电容器中的应用，属于碳纳米材料技术领域。底层为硅片，硅片上为垂直单壁碳纳米管阵列，垂直单壁碳纳米管阵列的顶端为碳纳米洋葱结构。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管阵列，在单壁碳纳米管阵列的顶端蒸镀Si层，然后利用Si层生长碳纳米洋葱结构。单壁碳纳米管垂直阵列‑碳纳米洋葱复合材料除去底层硅片后用于超级电容器中。
关键词：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
专利基本信息 ：
专利类型： 发明授权
申请(专利)号： CN201410596686.5
申请日期： 2014-10-29
公开(公告)日： 2017-07-21
公开(公告)号： CN104599856B
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 未缴年费
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次：
中文被引频次：
近30日浏览量： 1
归属院系：
信息学部
专利获取
外部链接：
