GaN　films　were　grown　on　Si　(111)　substrates　by　metal-organic　chemical　vapor　deposition　(MOCVD).　The　influence　of　high　temperature　AlN(HT-AlN)　buffer　low　various　growth　pressure　(6.7-16.6　kPa)　on　GaN　films　was　studied.　It　is　found　that,　the　surface　morphology　and　structural　and　optical　properties　of　the　GaN　epilayer　strongly　depend　on　HT-AlN　buffer　growth　pressure.　Increase　the　growth　pressure　of　HT-AlN　buffer,　the　optical　and　morphology　properties　of　GaN　film　are　both　significantly　improved,　when　the　growth　pressure　of　HT-AlN　buffer　layer　was　at　13.3　kPa,　we　obtained　a　crack-free　GaN　film,　the　XRD　FWHM　of　(002)　and　(102)　plane　of　GaN　film　are　735　and　778　arcsec,　respectively.　The　tensile　stress　calculated　from　Raman　spectra　is　0.437　GPa,　and　RMS　roughness　of　AFM　5　μm×5　μm　scan　is　1.57　nm.　©　2018,　Science　Press.　All　right　reserved.