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摘要：
一种ZnO/α Si纳米径向异质结太阳电池及其制备方法，属于太阳电池领域。对石英玻璃进行清洗，在石英玻璃上生长单层AZO薄膜；在AZO薄膜上生长ZnO籽晶层；采用水热法在ZnO籽晶层衬底上生长ZnO纳米柱；在ZnO纳米柱上生长P型α Si；AZO薄膜上磁控溅射沉积Ag前电极，在P型α Si上印刷Al背电极；烧结完成电池制备。这种电池具有较低的反射率和良好电极接触，透明导电电极具有高的透过率和电导率，可以有效提高电池的效率。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明授权
申请(专利)号： CN201310097882.3
申请日期： 2013-03-25
公开(公告)日： 2016-10-19
公开(公告)号： CN104078528B
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 授权
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