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一种生长GZO(ZnO : Ga)晶体的方法
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本发明提供了一种生长GzO(ZnO : Ga)单晶的方法，涉及晶体生长技术领域。 该方法可包括以下步骤 : 首先，制备致密、均匀的单相多晶棒； 其次，优化助熔剂的组成和配比； 最后，优化了GZO行溶剂浮区法生长GZO晶体的工艺参数，如生长功率、生长速率和旋转速度等。本发明生长的GZO晶体结晶质量高，生长方向一致，电学性能优异。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明授权
申请(专利)号： US14780444
申请日期： 2014-12-31
公开(公告)日： 2016-10-04
公开(公告)号： US9458553B2
申请(专利权)： Beijing University Of Technology
法律状态： 授权
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