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一种光刻技术和透射电子显微技术联合表征纳米薄膜微区形变的方法
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一种光刻技术和透射电子显微技术联合表征纳米薄膜微区形变的方法属于薄膜纳米压痕表征领域。本发明公开一种光刻技术和透射电子显微技术联合表征10-100纳米薄膜微纳形变区域的方法，通过薄膜转移技术，直接将压痕后的薄膜转移到透射电子显微镜中观察，从原子尺度直接揭示纳米压痕作用过程中纳米薄膜的弹塑性转变过程中微观缺陷的形成、交互作用及演变过程，揭示微观结构与宏观力学性能直接的关系，属于薄膜纳米压痕表征方法。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明授权
申请(专利)号： CN201210546691.6
申请日期： 2012-12-14
公开(公告)日： 2016-06-15
公开(公告)号： CN103047947B
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 授权
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