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一种铝诱导晶化多晶硅薄膜太阳能电池及制备方法，属于晶硅薄膜太阳能电池领域。其结构依次包括：玻璃衬底、金属铝背反射层、P+型背表面场层、P型吸收层、N+型发射层，在P+型背表面场层和N+型发射层上均有金属电极。采用铝诱导晶化工艺，在玻璃衬底上依次沉积非晶硅薄膜和铝薄膜，厚度范围分别为100-150nm之间和100-120nm之间，经过450-500℃退火处理1-5小时，硅层和铝层位置会发生互换，同时非晶硅转变成晶粒尺寸为5-10μm的多晶硅，继续制备太阳能电池的P型吸收层、N+型发射层结构和金属电极。本发明理论上可以降低原先电池50%的厚度，大幅节约原料成本。
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Patent Info ：
Type： 发明授权
Patent No.： CN201310044914.3
Filing Date： 2013-02-04
Publication Date： 2016-04-06
Pub. No.： CN103137765B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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