高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[专利]
埋多晶指内透明集电区绝缘栅双极晶体管及制造方法
作者：
收录：
摘要：
埋多晶指内透明集电区绝缘栅双极晶体管及制造方法，属于绝缘栅双极晶体管技术领域。在外延缓冲层之前，通过薄膜生长工艺与光刻工艺形成二氧化硅或氮化硅介质条，再通过同步外延，形成局域交叉分布的多晶硅指。最终通过常规穿通型IGBT的制造工艺，在集电区近集电结附近形成具有埋多晶指结构的内透明集电极IGBT。本发明可控性强，适用范围广，有利于实现低成本和高成品率，且器件性能优良。
关键词：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
专利基本信息 ：
专利类型： 发明授权
申请(专利)号： CN201310317124.8
申请日期： 2013-07-25
公开(公告)日： 2016-04-06
公开(公告)号： CN103515226B
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 授权
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次：
中文被引频次：
近30日浏览量： 0
归属院系：
专利获取
外部链接：
