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一种具有新型近腔面电流非注入区结构的半导体激光器及制造方法
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本发明涉及一种具有新型近腔面电流非注入区结构的半导体激光器及制造方法，该激光器包括衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、第二上限制层、刻蚀停止层、第一上限制层、欧姆接触层、电绝缘介质层、正面电极和背面电极。本发明提高了激光器COD阈值，从而使其在大功率输出时具有高可靠性；同时抑制半导体激光器光束的水平发散角，改善光束质量；使电流注入更集中，转化效率更高；此外，这种半导体激光器制作简单，便于生产。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明授权
申请(专利)号： CN201310493175.6
申请日期： 2013-10-20
公开(公告)日： 2016-04-06
公开(公告)号： CN103545714B
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 授权
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