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本发明用于半导体光电子领域，涉及一种基于HEMT结构调制沟道电流的光探测器。本探测器包括：处于最下方的具有HEMT器件结构的半导体层；在HEMT栅电极位置处沉积一层光感应层；沉积在光感应层上的一层金属电极层；在栅电极两侧具有源电极和漏电极；光辐射穿过具有HEMT器件结构的半导体层入射到栅极光感应层上，光感应层产生热释电效应或者光伏效应，引起光感应层表面电荷分布变化，从而诱导与光感应层接触的半导体层表面的电荷分布发生改变，进而引起半导体层内部极化场强的改变，导致二维电子气(2DEG)的变化，使得输出电流发生改变，最终使输入的光辐射信号转换成变化的电流信号输出，完成光辐射的探测。本发明具有较高的探测率，工作于室温，方便使用。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN201410643683.2
Filing Date： 2014-11-09
Publication Date： 2015-03-11
Pub. No.： CN104409463A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 驳回
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