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尧舜 (尧舜.) | 雷宇鑫 (雷宇鑫.) | 王智勇 (王智勇.) (学者:王智勇) | 邱运涛 (邱运涛.) | 贾冠男 (贾冠男.) | 高祥宇 (高祥宇.) | 吕朝蕙 (吕朝蕙.)

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摘要:

本发明提供一种表面型半导体激光器件倒装焊电极结构,属于激光技术应用领域。其包括:蓝宝石衬底、外延生长层、绝缘层、P型电极和N型电极,以及一个N’型电极和金线;所述N’型电极与P型电极等高,分别位于N型电极的两侧;所述金线的两端分别焊接在N型电极和N’型电极上。本发明改变传统的表面型半导体激光器件的结构,通过金线连接将N型电极提高到与P型电极到同一高度,该方法可以弥补蓝宝石激光器件P型电极与N型电极存在高度差的问题,同时此方法可适当增加P型电极与N型电极间距,在焊接过程中隔绝P型电极与N型电极的焊料,有效得防止了在焊接中可能发生的短路情况。

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专利基本信息 :

专利类型: 发明申请

申请(专利)号: CN201410758966.1

申请日期: 2014-12-11

公开(公告)日: 2015-02-25

公开(公告)号: CN104377298A

申请(专利权): 北京工业大学

法律状态: 驳回

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