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多台阶器件结构底层表面的光刻方法，属于光刻技术领域。本发明采用SEM观察涂覆光刻胶样品的剖面，测量台阶底部的光刻胶厚度。使用光度分光计及数据拟合方法做出台阶底部光刻胶在不同曝光时间下的透过率曲线，找出光刻胶完全曝光所需时间，最终完成对工艺条件的优化。本发明克服了台阶底部堆积光刻胶的情况，通过简单的材料表征及分光计实验即可获得准确的完全曝光时间，简单有效，适用于工业化生产中各种多台阶器件结构的光刻工艺。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201210188616.7
Filing Date： 2012-06-08
Publication Date： 2014-07-16
Pub. No.： CN102707568B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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