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一种在Si衬底上制备高(100)取向BiFeO3薄膜的方法
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本发明公开了一种在Si衬底上制备高(100)取向BiFeO3薄膜的方法，属于功能材料制备技术领域。对Si衬底进行预处理；利用脉冲激光沉积方法，采用LaNiO3靶材，在上述衬底上制备高取向的LaNiO3薄膜；利用脉冲激光沉积方法，采用BiFeO3靶材，在LaNiO3薄膜上制备高取向的BiFeO3薄膜。本发明制备的产品兼容性好，膜晶粒大小均匀，排列致密，结晶度高，取向性好。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明授权
申请(专利)号： CN201010543781.0
申请日期： 2010-11-12
公开(公告)日： 2012-11-07
公开(公告)号： CN102051582B
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 未缴年费
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