收录：
摘要：
本发明公开了一种五结半导体太阳能光伏电池芯片，属于半导体光电子技术领域。本发明在现有Ge/GaInAs/InGaP三结太阳能电池芯片外延材料体系之上增加生长获得AlInAs材料次顶电池芯片和ZnSCdSe材料顶电池芯片，充分吸收太阳辐射分布于紫外波段的大量能流，提高太阳能电池芯片的光电转换效率。
关键词：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
专利基本信息 ：
专利类型： 发明授权
申请(专利)号： CN201010259997.4
申请日期： 2010-08-23
公开(公告)日： 2012-05-23
公开(公告)号： CN101976689B
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 授权
归属院系：
