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本发明涉及从硼膜制备立方氮化硼薄膜的方法。属于宽带隙半导体或 者超硬材料薄膜制备领域。立方氮化硼薄膜为氮化硼中最难直接制备的材料， 始终制约着立方氮化硼薄膜从实验室走向工业化的进程。本发明第一步：将 衬底进行清洗之后，在所选的衬底材料上沉积一层硼薄膜；第二步：对硼薄 膜在氮气气氛中进行加热，使硼膜和氮气反应，生成立方相氮化硼薄膜，加 热温度为850～1100℃；反应时间为30～150分钟。本发明制备的立方氮化硼 薄膜中立方相含量(立方相的体积分数)大于90％。
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