一种制备立方氮化硼薄膜的方法属于宽带隙半导体或者超硬材料薄膜领　域。直接制备高立方相含量氮化硼薄膜工艺控制困难，可重复性差；立方氮　化硼薄膜的成核与生长过程中须有能量粒子对薄膜表面的轰击，这会产生薄　膜结构缺陷，薄膜残余应力过大，易皴裂脱落等问题。本发明步骤：将衬底　清洗之后，在衬底材料上使用气相薄膜生长设备沉积六方氮化硼薄膜；将真　空度抽到5Pa以下，对六方氮化硼薄膜氮气保护退火：退火温度为850～950℃，　恒温20～60分钟；所述的氮气为纯度99.999％以上。本发明条件宽松且重复　性好：无需设置衬底加温装置以及衬底负偏压装置以产生能量粒子对薄膜的　轰击；无需选用最佳的工作气体气压与组份；且六方氮化硼薄膜沉积速率更　快，不易皴裂脱落。