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姚李英 (姚李英.) | 刘莹 (刘莹.) | 陈涛 (陈涛.) (学者:陈涛) | 左铁钏 (左铁钏.) | 刘世炳 (刘世炳.) (学者:刘世炳)

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本发明涉及一种减小准分子激光刻蚀横向影响区的装置,属于准分子激光微加工领域。主要包括有激光器(1)、掩模(4)、投影物镜(6)、试样(7),其中,激光器1发出的主光束经过第一反射镜(2)、第二反射镜(3)到达掩模(4),将掩模(4)的图案经过第三反射镜(5)反射到投影物镜(6),投影物镜(6)缩小后的图案成像到试样(7)的表面,进行刻蚀,其特征在于:试样(7)设置在水槽(8)的底部,水槽(8)内注有液体,试样(7)的刻蚀表面低于液面。采用本发明进行在液体下加工,提高了准分子激光刻蚀微结构表面形貌的质量,获得高质量的微细加工结构,实施方法简单,使准分子激光微加工工艺进一步完善。

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专利基本信息 :

专利类型: 发明申请

申请(专利)号: CN200610169837.4

申请日期: 2006-12-29

公开(公告)日: 2007-07-11

公开(公告)号: CN1994653A

申请(专利权): 北京工业大学

法律状态: 撤回

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