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金刚石薄膜冷阴极结构及其制备方法
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一种金刚石薄膜冷阴极结构及其制备方法属于场致电子发射技术领域。本发明的金刚石薄膜冷阴极结构，包括金属衬底和金刚石晶粒，其特征为采用金属Cu作衬底且在金属衬底上若干个熔融的小孔内生长出金刚石晶粒。其制备方法包括用微波等离子体清洗Cu，使Cu熔融形成小孔，然后采用常规方法使金刚石晶粒在所限定的小孔内成核、生长。用该方法制备出的单晶金刚石薄膜冷阴极结构，具有阈值电压低、场发射电流密度大且制备温度低的特点。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明授权
申请(专利)号： CN00107439.3
申请日期： 2000-05-15
公开(公告)日： 2003-01-29
公开(公告)号： CN1100163C
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 未缴年费
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