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双极高速功率开关晶体管发射区结构
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一种高速双极功率开关晶体管发射区结构。从剖 面结构上看, 这种发射区由轻掺杂的中心区域和分布在两侧的 高掺杂的周边区域构成。该结构能够加速晶体管的关断过程, 有效地改善双极功率晶体管的开关时间和开关损耗, 提高晶体 管关断时的热电稳定性, 使之能够在更高的频率下正常且安全 地工作。
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专利基本信息 ：
专利类型： 实用新型
申请(专利)号： CN98203022.3
申请日期： 1998-04-03
公开(公告)日： 1999-06-09
公开(公告)号： CN2323467Y
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 未缴年费
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