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高电迁徒阻力的多层金属化结构及其设计方法
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一种高电迁徙阻力的多层金属化结构及其设计 方法属于VLSI，ULSI及微波器件金属化结构的制造技术领域，其特征在于：在离SiO2绝缘层欧姆接触窗口的一个回流长度处在底层导电层Al-1％Si上开有一个尽可能小的缝隙，并给出了临界回流长度的计算公式。它利用了与电迁徙现象同时共存的回流效应来彻底消除电迁徙现象，以便从根本上解决多层金属化结构的电迁徙失效问题，从而提高了VLSI，ULSI及微波器件的寿命。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明申请
申请(专利)号： CN95105950.5
申请日期： 1995-06-15
公开(公告)日： 1996-12-18
公开(公告)号： CN1138217A
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 驳回
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