为了兼顾高电流增益β　和发射极开路集电结的高击穿电压VCBO与基极开路集电极-发射极间的高击穿电压VCEO,有效提升电荷等离子体双极晶体管(bipolar　charge　plasma　transistor,BCPT)的高压大电流处理能力,利用SILVACO　TCAD建立了npn型BCPT的器件模型.考虑到双极晶体管的击穿电压主要取决于集电区掺杂浓度,首先研究了集电极金属对BCPT性能的影响.分析表明,BCPT集电区的电子浓度强烈依赖于电极金属的功函数,当采用功函数较大的铝(Al)作为集电极金属时,由于减小了金属-半导体接触的功函数差,降低了集电区中诱导产生的电子等离子体浓度,从而有效降低了集电结空间电荷区峰值电场强度,减小了峰值电子温度以及峰值电子碰撞电离率,因此,达到改善击穿电压VCBO和VCEO的目的.然而,集电区电子浓度的减小会引起基区Kirk效应,增大基区复合,降低β.为此,进一步提出了一种采用衬底偏压结构的BCPT,通过在发射区和基区下方引入正衬底偏压,调制发射区和基区有效载流子浓度,达到提高发射结注入效率、增大β的目的.结果表明:与仅采用锆(Zr)作为集电极金属的BCPT相比,该器件的峰值电流增益改善了21.69％,击穿电压VCBO和VCEO分别改善了12.78％和56.41％,从而有效扩展了BCPT的高功率应用范围.