提出了一种无片外电容、快速瞬态响应、宽输入电压范围的低压差线性稳压器(LDO).该电路基于翻转电压跟随器(FVF)结构,不需额外增加辅助电路,仅使用两个电容作为检测模块,以动态调整瞬态响应,能够弥补传统LDO集成度低、面积大、功耗高、瞬态响应差的不足.电路基于TSMC　180　nm　CMOS工艺.仿真结果表明,该LDO的压差为200　mV,静态电流为36　μA,输入电压范围为2～4　V,低频时PSRR为-59　dB.在30　pF负载电容、0～10　mA负载电流、150　ns阶跃时间条件下,产生的上冲电压为50　mV,下冲电压为66　mV,瞬态电压恢复时间为300　ns.