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作者:

方浩鑫 (方浩鑫.) | 刘伟 (刘伟.) | 杨韵斐 (杨韵斐.) | 周帆 (周帆.) | 王金淑 (王金淑.)

摘要:

采用固液混合法制备出铼钨核壳粉体,然后加入锇粉经预处理后制备出具有特殊包覆结构的三元混合粉体.粉体经过压制、烧结、浸渍、洗盐和退火等工艺制备出钨铼锇三元混合基阴极,经过411盐浸渍后,脉冲发射测试发现三元混合基阴极中成分为W2Re1Os1阴极的电子发射性能最好,在1050 ℃电流发射密度能够达到35 A/cm2,电流发射密度略高于同类型的二元混合基阴极,达到覆钨铼锇三元膜阴极的水平.通过实验验证在钨铼锇三元混合基阴极浸渍过程中,Re和Os与活性盐均不发生反应,活性物质是由W和活性盐反应产生的.

关键词:

钨铼锇 电子发射 混合基阴极

作者机构:

  • [ 1 ] [杨韵斐]北京工业大学
  • [ 2 ] [方浩鑫]北京工业大学
  • [ 3 ] [王金淑]北京工业大学
  • [ 4 ] [周帆]北京工业大学
  • [ 5 ] [刘伟]北京工业大学

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来源 :

稀有金属材料与工程

ISSN: 1002-185X

年份: 2024

期: 6

卷: 53

页码: 1718-1725

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