8　mil　×　10　mil　InGaN/GaN　blue　LEDs　with　indium　tin　oxide　(ITO)　emitting　at　460　nm　were　fabricated.　A　vacuum　evaporation　technique　was　adopted　to　deposit　ITO　on　P-GaN　with　thickness　of　240　nm.　The　electrical　and　optical　properties　of　ITO　films　on　P-GaN　wafers,　as　well　as　rapid　thermal　annealing　(RTA)　effects　at　different　temperatures　(100　to　550　°C)　were　analyzed　and　compared.　It　was　found　that　resistivity　of　450　°C　RTA　was　as　low　as　1.19　×　10-4　Ω·cm,　along　with　a　high　transparency　of　94.17%　at　460　nm.　AES　analysis　indicated　the　variation　of　oxygen　content　after　450　°C　annealing,　and　ITO　contact　resistance　showed　a　minimized　value　of　3.9　×　10-3　Ω·cm2.　With　20　mA　current　injection,　it　was　found　that　forward　voltage　and　output　power　were　3.14　V　and　12.57　mW.　Furthermore,　maximum　luminous　flux　of　0.49　lm　of　ITO　RTA　at　550　°C　was　measured,　which　is　the　consequence　of　a　higher　transparency.　©　2012　Chinese　Institute　of　Electronics.