A　monolithic　SiGe　Heterojunction　Bipolar　Transistor　(HBT)　Low　Noise　Amplifier　(LNA)　is　designed　and　fabricated　in　this　paper.　Composite　resistance　feedback　loops　are　adopted　in　this　amplifier.　Hence,　reasonable　bias　conditions,　good　port　matching　and　low　Noise　Figure　(NF)　are　achieved　simultaneously　by　adjusting　different　feedback　resistor　smartly.　Based　on　the　0.35-μm　Si　CMOS　technology,　the　fabrication　processes　for　monolithic　amplifier　integrated　chip　are　developed.　In　the　fabrication　process　of　SiGe　devices,　base　resistance　of　transistor　is　reduced　by　using　titanium　silicon　(TiSi2)　deposition　in　order　to　further　decrease　the　NF　of　LNA.　Finally,　die　area　of　this　monolithic　LNA　is　only　0.282　mm2　due　to　the　absence　of　spiral　inductor　which　occupies　most　of　chip　area.　The　measurement　results　indicate　that,　in　the　band　from　0.2　to1.2　GHz,　this　LNA　achieves　the　minimum　NF　of　2.5　dB,　the　maximum　gain　as　high　as　26.7　dB,　and　the　input　and　output　reflections　(S11,　S22)　of　less　than　-7.4　dB　and　-10　dB,　respectively.